適用于1.5μm集成電路量產(chǎn)的寬譜接觸式光刻機(jī)。主要用于量產(chǎn)寬譜光刻膠的質(zhì)量控制。
適用于500nm/650nm集成電路量產(chǎn)的g-線步進(jìn)投影光刻機(jī)。主要用于量產(chǎn)G-line光刻膠的質(zhì)量控制和新產(chǎn)品的研發(fā)測(cè)試。
適用于CD線寬不超過0.35μm集成電路量產(chǎn)的i-線步進(jìn)投影光刻機(jī)。主要用于量產(chǎn)I-line光刻膠的質(zhì)量控制和新產(chǎn)品的研發(fā)測(cè)試。
ArF浸沒式光刻機(jī)，數(shù)值孔徑(NA)高達(dá)1.35，適用于批量生產(chǎn)32nm以下的邏輯器件和40nm以下的存儲(chǔ)器件。
適用于CD線寬110nm集成電路量產(chǎn)的Krf scanner 曝光機(jī)。主要用于量產(chǎn)Krf 光刻膠的質(zhì)量控制和新產(chǎn)品研發(fā)。
適用于150mm的各種材料的工藝處理I線，248納米，和193納米的工藝能力全自動(dòng)的勻膠、顯影功能，層疊架構(gòu)多層熱處理模塊，結(jié)構(gòu)緊湊，高產(chǎn)能、高可靠性
電子掃描顯微鏡，用于曝光蝕刻后微細(xì)線條線寬的檢查，具有自動(dòng)圖形識(shí)別、直徑檢測(cè)、多項(xiàng)目自動(dòng)分析操作的技術(shù)功能，遠(yuǎn)高于光學(xué)顯微鏡的放大倍數(shù)。
日立S4800冷場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡采用半內(nèi)透鏡設(shè)計(jì),新型物鏡采用專利的ExB設(shè)計(jì)。使用單檢測(cè)器和超級(jí)ExB可以分別收集和分離單純二次電子、混合二次電子及背散射電子的信號(hào)，可以適應(yīng)不同樣品的高分辨觀測(cè)需求,是納米級(jí)研究的必備工具。
光刻膠顯影分析，是最先進(jìn)的18頻道沖洗速度分析評(píng)價(jià)裝置，可以對(duì)光致抗蝕劑的顯影速度進(jìn)行評(píng)價(jià)。
是供實(shí)驗(yàn)使用的開放的架子曝光裝置，配合LTJ-RDA-790使用。搭載Hg-Xe電燈，用過濾器可以用于248nm，365nm，436nm等波長(zhǎng)的曝光。
適用于150mm的各種材料的工藝處理I線，248納米，和193納米的工藝能力全自動(dòng)的勻膠、顯影功能，層疊架構(gòu)多層熱處理模塊，結(jié)構(gòu)緊湊，高產(chǎn)能、高可靠性
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